目前大多数制造商通过研磨和抛光过程能做出厚的SOI晶片（器件层>2um）。由于研磨和抛光的固有属性,这些过程可以实现,在最好的情况下,厚度均匀性可以做到+ / - -0.5μ。这会产生显著的厚度变化——例如,标准的2.0μ SOI晶片,这是+ / - -25%的厚度变化。SOI膜厚度直接关系到MEMS传感器、压力传感器等传感器的灵敏度。高可变性的厚度会影响设备属性。

我们的专利技术可以让我们产生超统一SOI晶片通过层转移,而不是研磨和抛光过程。通过层转移我们的厚度均匀性可以做到+ / - -0.01μ和+ / -0.15μ。我们还可以通过研磨和抛光做到均匀性+ / - 0.5μ。