器件层均匀度达到+/-0.15 微米, 厚度0.5 微米以上的SOI. 这是国际上最均匀的厚膜SOI. 这种制造技术 不仅厚度均匀，且不受晶向，电阻率的影响. 例如我们可以做成典型的1+/-0.15 微米的SOI ,与工业界目前使用的smart 加外延技术比，不仅工艺简单, 成本下降，且可以做成超低电阻的器件层，这是目前用其它技术所无法实现的。
这是一种二层氧化层和二层器件层的SOI ,在高新能的mems 器件上得到应用。如何制作厚度均匀的各层器件层是技术难点和关键点，利用我们的技术，每层器件层均匀度都能达到+/-0.15 微米，且能做成各种晶向和电阻率的器件层。
这是一种基板层厚度在100 -200 微米左右的 SOI . 在微型化的驱动下，这种 SOI 得到广泛应用。我们的技术能做成100 微米甚至更簿的soi。
传统的soi 由于键合的特点都有1-5 mm 的边界区，器件层的直径比基板层小2-10mm , 这种 SOI 结构对有些器件层的制作工艺和性能有不利的影响。因此我们开发出了无边的SOI, 器件层和基板层的直径一至。
