多种类晶圆键合材料

可以通过晶圆键合创建新的、先进的工程材料,性能优于单一材料。然而,这些键合材料由于CTE常数热膨胀系数不匹配经常在高温退火下脱落。通过几十年的研究,我们已经开发出一种专利用于低温退火过程。这种低温过程的结合强度是相当于一个退火的发生。通过硅片减薄和剥离技术,开发出了以下键合材料:

键合材料 特点 应用
硅和玻璃的键合
  • 1. 透明的衬底
  • 2. 高介电性能的衬底
  • 3. 单晶的硅层
 显示、射频设备
硅和蓝宝石的键合
  • 1. 很好的电绝缘体,减少辐射导致的电流
  • 2. 抵抗恶劣的环境
 射频设备,MEMS传感器
硅和石英的键合
  • 1. 底层晶片的热稳定性
  • 2. 透明的衬底
 射频设备
硅和三五族材料的键合 三五族集成设备与CMOS集成设备 硅光子学
硅和氮化镓的键合
  • 1. 低成本
  • 2. 氮化镓层的低应力高性能
 LED
金刚石/硅和氮化镓的键合 金刚石优秀的热耗散 电源设备
硅和压电材料的键合 薄层压电材料和MEMS集成 MEMS超声波设备,MEMS传感器、能量收集装置
产品优势
硅/玻璃晶圆，由于玻璃具有稳定的化学性能和独持的光学性能在传感器、显示器领域得到了广泛的应用。苏州迈姆思发明的 Fusion -Anodic 键合技术，研发出完全无微孔（void) 的晶圆键合技术结合 SOI 转移（transfer) 技术，生产出超均匀无微孔缺陷的硅/玻璃晶圆硅玻璃晶圆已达到±0.05微米均匀度，大大优于市场上的±1 micro 的均匀度。
PZT on silicon (PZT/硅晶圆）簿膜压电材料和硅结合的晶圆在传感器领域得到很广泛的应用。我们通过研磨-抛光-键合-转移开发的晶圆具有应力低，压电性能高的特点。 有机键合是这项技术的关键。我们发明的有机无外力键合利用分子间的范德华力而避免使用外力，达到均匀的有机键合层. 均匀的有机键合层保证了顶层压电层的均匀性。利用这一技术我们研发出1-5 微米的压电层 PZT on silicon.与其它方法(sputtering and sol gel )相比，我们材料具有低应力的优点. 利用这一材料开发的MEMS 器件发表在权威的期刊上。
  • A high-SPL piezoelectric MEMS loud speaker based on thin ceramic PZT , Sensors and Actuators A 309(2020) 112018,
  • A Ceramic PZT-Based PMUT Array for Endoscopic Photoacoustic Imaging, Journal of Microelectromechanical Systems ( Volume: 29, Issue: 5, Oct. 2020),
  • A one-step residue-free wet etching process of ceramic PZT for piezoelectric transducers, Sensors andActuators A 290 (2019) 130‒136 .
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